プロセス技術開発(パワー半導体デバイス/ウエハ裏面)※メンバークラス/三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所
成長が期待されるパワーデバイスにおける新規プロセスの開発。積極的な設備投資を行い技術力の向上を目指す
- 勤務地
- 熊本県合志市
- 想定年収
- 550万円~700万円
- 雇用形態
- 正社員
- 仕事内容
- 三菱電機グループにおける重点成長事業である「パワーデバイス」。2025年度までに1300億円の投資を表明しています。今回は更なる生産体制の強化に向けてIGBT、Diode、MOSFETなどの半導体デバイス(チップ)製造プロセス技術開発業務をお任せします。
(具体的には)
デバイス構造の開発や改善プロセスなどの技術を開発する業務、装置開発を担当
・主にウエハの裏面工程のプロセス技術開発を担当
※当社のパワーデバイス事業は今後5年間で積極的に投資を実施していきます。競争力のあるデバイスをさらにレベルアップさせるための技術者を求めています。
(ポイント)
・パワー半導体の世界的市場において当社は世界3位のシェアを占めています。近年重要視されているSDGsや脱炭素社会、省エネといった分野において、当社のパワーデバイス半導体は必要不可欠なものです。
・熊本工場で量産しているパワー半導体は自動車、家電、産業・再生エネルギー分野、電鉄・電力分野など幅広い市場において需要が高まっています。
・圧倒的なシェアを占める家電(エアコンなど)や産業機器、鉄道車両用インバーターやエレバーターなどの重電システムを使用する機器を自社グループが手掛けていることは総合電機メーカーとしての強みとなっています。全社が横断的に様々な製品の開発サポートをおこなっており、シナジー効果を生み出します。
・設備のFA化、SiCラインの拡張、300mmウエハ製造など積極的な設備投資を今後も行っていく予定です。今後の市場規模の更なる拡大を見据えて、三菱グループとしても中核事業と位置付けている事業です。